先进的测量揭示了二硒化钨的纳米级现象

半导体二维材料只有几个原子厚，其中一些表现出局域发射，其中光从层的一小部分发射，每次仅产生一个光子。这种局域发射具有独特的性质，对于新的量子技术至关重要，特别是在光电和量子器件应用中。

研究表明，拉伸一种称为二硒化钨的二维材料可以导致局部发射，并且许多努力都试图在层中创建具有最大应变的纳米结构。然而，NPL 的高级测量表明，弯曲材料也能产生类似的效果。

在最近发表在《先进材料科学与技术》杂志上的研究中，NPL 的科学家提出，由 2D 层中的皱纹引起的 2D 材料的曲率是设计性能的更好方法。

拉伸和弯曲的影响并不总是容易区分，但通过结合先进的测量技术，他们的结果表明，这种替代范式是实现室温量子光源的一条有前途的途径。

曲率比拉伸应变更容易设计，因此这一结果可以加速低成本量子技术的进展。

NPL 目前正在与英国和巴西的小组合作进行量子化学建模和进一步的实验工作，以测试所提出的范式，并发展对几何曲率如何导致单层二硒化钨局部发射的理论理解。

科学系主任费尔南多·卡斯特罗(Fernando Castro)教授表示：“这项工作是一个很好的例子，说明如何将具有不同材料和测量科学领域专业知识的团队聚集在一起，找到了一种理解先进二维材料半导体局部发射的新方法，从而开辟了新的机遇用于光电子学和量子应用。”